AlN AlGaN

Applicazione

Modello

Prodotto

Parametro

Fungendo da materiale fondamentale per i LED-ultravioletti profondi (DUV),

dispositivi di potenza, dispositivi RF e altri dispositivi optoelettronici di frontiera.

Wafer AlN

Dimensione: 2 pollici (φ50,8 mm±0,1 mm)
Substrato: zaffiro lucido singolo/doppio-lato (Al₂O₃)
Intervallo di spessore: da 0,5 μm a 5 μm
Orientamento del cristallo: piano C- (0001)
Qualità del cristallo: requisiti di diffrazione dei raggi X (XRD) a larghezza intera a metà massimo (FWHM), corrispondenti agli intervalli di spessore AlN:
Spessore 0.5 - 1 μm: (002) FWHM piano Inferiore o uguale a 120 secondi d'arco; (102) FWHM piano Inferiore o uguale a 950 secondi d'arco.
Spessore 1 - 2 μm: (002) FWHM piano Inferiore o uguale a 120 secondi d'arco; (102) FWHM piano Inferiore o uguale a 600 secondi d'arco.
Spessore 2 - 3 μm: (002) piano FWHM inferiore o uguale a 150 secondi d'arco; (102) FWHM piano Inferiore o uguale a 500 secondi d'arco.
Spessore 3 - 4 μm: (002) FWHM piano inferiore o uguale a 180 secondi d'arco; (102) FWHM piano Inferiore o uguale a 400 secondi d'arco.
Spessore 4 - 5 μm: (002) FWHM piano inferiore o uguale a 180 secondi d'arco; (102) FWHM piano Inferiore o uguale a 320 secondi d'arco.
Scheggiature/crepe sui bordi: meno di 2 mm.
Rugosità superficiale: Ra < 1,5 nm su un'area 10 × 10 μm (misurata mediante AFM).
Imballaggio: sigillato sottovuoto-in una camera bianca di Classe 10.000. Confezionato in cassette da 25-pezzi o contenitori a wafer singolo.

AlN: superficie ultra-liscia

• Bassa densità di difetti

• Sigillato sottovuoto-

Wafer AlGaN

Dimensione: 2 pollici (φ50,8 mm ±0,1 mm)
Substrato: zaffiro lucido singolo/doppio-lato (Al₂O₃)
Intervallo di spessore: da 5 nm a 3000 nm
Orientamento del cristallo: piano C- (0001)
Energia Bandgap: personalizzabile in base alle esigenze del cliente (tramite regolazione della composizione Al)
Qualità del cristallo: Specifiche di riferimento (per AlGaN da 1,5 μm con 60% Al):
(002) piano XRD FWHM Inferiore o uguale a 350 arcsec
(102) piano XRD FWHM Inferiore o uguale a 600 arcsec
Nota: la qualità specifica dei cristalli (valori XRD FWHM) è adattata esattamente alla composizione effettiva dell'Al e allo spessore dello strato.
Scheggiature/crepe sui bordi: meno di 2 mm.
Imballaggio: sigillato sottovuoto-in una camera bianca di Classe 10.000. Confezionato in cassette da 25-pezzi o contenitori a wafer singolo.

AlGaN: bandgap sintonizzabile

• Spessore 5 nm–3 µm

• Specifiche XRD personalizzate